Questa invenzione riguarda il settore della tecnologia fisica e della microelettronica. In concreto, si rivolge alla fabbricazione di materiali con una maggiore trasmissione di luce e alle loro applicazioni a dispositivi che generano una corrente elettrica a partire dalla luce incidente, come foto-rivelatori, celle solari e dispositivi termo-fotovoltaici. L’aumento della corrente elettrica viene raggiunto per mezzo di una modifica della topografia superficiale di una struttura a base di semiconduttori, nella quale viene realizzata una struttura fotonica di nanocavità su reticolo periodico.

"Uso de material modificado en su topografia superficial en dispositivos que generen una coriente electrica a partirde luz incidente""Uso di materiali con topografia superficiale modificata in dispositivi che generano una corrente elettrica a partire dalla luce incidente"

ANDREANI, LUCIO;GALLI, MATTEO;
2008-01-01

Abstract

Questa invenzione riguarda il settore della tecnologia fisica e della microelettronica. In concreto, si rivolge alla fabbricazione di materiali con una maggiore trasmissione di luce e alle loro applicazioni a dispositivi che generano una corrente elettrica a partire dalla luce incidente, come foto-rivelatori, celle solari e dispositivi termo-fotovoltaici. L’aumento della corrente elettrica viene raggiunto per mezzo di una modifica della topografia superficiale di una struttura a base di semiconduttori, nella quale viene realizzata una struttura fotonica di nanocavità su reticolo periodico.
2008
The Physics category includes resources of a broad, general nature that contain materials from all areas of physics, The category also includes resources specifically concerned with the following physics sub-fields: mathematical physics, particle and nuclear physics, physics of fluids and plasmas, quantum physics, and theoretical physics.
200801231
CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONESCIENTÍFICAS, CSIC (Spagna): 90%UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE MADRID, Spagna (5%)UNIVERSITA' DEGLI STUDI DI PAVIA (5%)
Nazionale
Photovoltaic devices; photodetectors; micro- and nanostructures
Il brevetto deriva da una collaborazione di ricerca fra il Dipartimento di Fisica "A. Volta", Università di Pavia e vari gruppi a Madrid (CSIC, Universitad Autonoma). Riguarda vari campi legati ai semiconduttori, alle micro- e nanostrutture, ai dispositivi optoelettronici, alla fotonica. Il brevetto, ancora nelle fasi iniziali, è suscettibile di varie applicazioni alle celle fotovoltaiche e ai fotorivelatori.
6 Brevetti::6.1 Brevetto
none
Pablo, Postigo; MARTINEZ LOUIS, Javier; Alfonso, Alija; BRIONES FERNANDEZ POLA, Fernando; GONZALEZ DÍEZ, Maria; GONZALEZ SOTOS, Luisa; Andreani, Lucio...espandi
info:eu-repo/semantics/patent
285
10
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