Substrate effect on CdT layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Sochinskii, N.V.; Muñoz, V.; Bellani, V.; Viña, L.; Diéguez, E.; Alves, E.; Da Silva, M.F.; Soares, J.C.; Bernardi, S.

doi:10.1063/1.118522

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CdTe layers were grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) on different substrates like sapphire, GaAs, and CdTe wafers. The growth was carried out at the temperature 340 °C and time in the range of 2–4 h using dimethyl-cadmium and diisopropil-tellurium as precursors. The layers were studied by scanning electron microscopy, Rutherford backscattering spectroscopy, and high resolution low-temperature photoluminescence spectroscopy. The surface morphology and RBS and PL spectra of CdTe MOVPE layers are reported and the substrate effect on the layer properties is demonstrated.

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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11571/100614

Titolo:	Substrate effect on CdT layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy
Autori interni:	BELLANI, VITTORIO
Data di pubblicazione:	1997
Rivista:	APPLIED PHYSICS LETTERS
Abstract:	CdTe layers were grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) on different substrates like sapphire, GaAs, and CdTe wafers. The growth was carried out at the temperature 340 °C and time in the range of 2–4 h using dimethyl-cadmium and diisopropil-tellurium as precursors. The layers were studied by scanning electron microscopy, Rutherford backscattering spectroscopy, and high resolution low-temperature photoluminescence spectroscopy. The surface morphology and RBS and PL spectra of CdTe MOVPE layers are reported and the substrate effect on the layer properties is demonstrated.
Handle:	http://hdl.handle.net/11571/100614
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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