Modulation of Fano resonances by an external magnetic field in semiconductor quantum wells

Bellani, Vittorio; Pérez, E.; Zimmermann, S.; Viña, L.; Hey, R.; Ploog, K.

doi:10.1016/0038-1101(95)00218-9

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We have studied the dimensionality dependence of the behavior of Fano resonances in the photoluminescence excitation spectra of GaAs---AlxGa1−xAs heterostructures in a magnetic field applied in the Faraday configuration. A striking difference is observed between quasi-two and quasi-three-dimensional systems: while the Fano profiles evolve into Lorentzian lineshapes in two-dimensional systems, Fano resonances emerge from the continuum in three-dimensional-systems with increasing magnetic field.

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Titolo:	Modulation of Fano resonances by an external magnetic field in semiconductor quantum wells
Autori:	BELLANI, VITTORIO E. Pérez S. Zimmermann L. Viña R. Hey K. Ploog mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	1996
Rivista:	SOLID-STATE ELECTRONICS
Citazione:	Modulation of Fano resonances by an external magnetic field in semiconductor quantum wells / V. Bellani; E. Pérez; S. Zimmermann; L. Viña; R. Hey; K. Ploog. - In: SOLID-STATE ELECTRONICS. - ISSN 0038-1101. - STAMPA. - 40:1-8(1996), pp. 85-88.
Abstract:	We have studied the dimensionality dependence of the behavior of Fano resonances in the photoluminescence excitation spectra of GaAs---AlxGa1−xAs heterostructures in a magnetic field applied in the Faraday configuration. A striking difference is observed between quasi-two and quasi-three-dimensional systems: while the Fano profiles evolve into Lorentzian lineshapes in two-dimensional systems, Fano resonances emerge from the continuum in three-dimensional-systems with increasing magnetic field.
Handle:	http://hdl.handle.net/11571/100617
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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http://hdl.handle.net/11571/100617

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