Trapping in proton irradiated p+-n-n+silicon sensors at fluences anticipated at the HL-LHC outer tracker

RATTI, LODOVICO;
2016-01-01

2016
Esperti anonimi
Inglese
Internazionale
ELETTRONICO
11
04
P04023
P04023
Detector modelling and simulations II (electric fields, charge transport, multiplication and induction, pulse formation, electron emission, etc); Radiation damage to detector materials (solid state); Radiation-hard detectors; Si microstrip and pad detectors
690
info:eu-repo/semantics/article
262
Adam, W.; Bergauer, T.; Dragicevic, M.; Friedl, M.; Fruehwirth, R.; Hoch, M.; Hrubec, J.; Krammer, M.; Treberspurg, W.; Waltenberger, W.; Alderweireld...espandi
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