IRIS

Ionizing Radiation Effects on the Noise of 65 nm CMOS Transistors for Pixel Sensor Readout at Extreme Total Dose Levels

Ratti, Lodovico;
2018-01-01
2018
Electrical & Electronics Engineering
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE
sì
WOS:000422922000006
2-s2.0-85035758762
Esperti anonimi
Inglese
Internazionale
STAMPA
65
1
550
557
8
Analog front-end electronics; ionizing radiation effects; MOSFET; noise; Nuclear and High Energy Physics; Nuclear Energy and Engineering; Electrical and Electronic Engineering
http://ieeexplore.ieee.org/xpl/RecentIssue.jsp?punumber=23
no
6
info:eu-repo/semantics/article
262
Re, Valerio; Gaioni, Luigi; Manghisoni, Massimo; Ratti, Lodovico; Riceputi, Elisa; Traversi, Gianluca
1 Contributo su Rivista::1.1 Articolo in rivista
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1.1 Articolo in rivista
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