Response of SOI bipolar transistors exposed to gamma-rays under different dose rate and bias conditions

Anno

2005

Appare nelle tipologie:

1.1 Articolo in rivista

File in questo prodotto:

Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11571/132958