IRIS

Single-ended phase-change memory device and reading method

Zurla R.;Cabrini A.;Torelli G.;Volpe Flavio Giovanni
2018-01-01
2018
Electrical & Electronics Engineering
Pub. No. US 2020/0135273 A1
STMicroelectronics S.r.l., Agrate Brianza (MB), Italy
Inglese
Internazionale
PHASE CHANGE MEMORIES, NON-VOLATILE MEMORIES, PHASE CHANGE MEMORY READING, READING ALGORITHM, READING REFERENCE CELLS
http://appft.uspto.gov/netacgi/nph-Parser?Sect1=PTO2&Sect2=HITOFF&p=1&u=/netahtml/PTO/search-bool.html&r=1&f=G&l=50&co1=AND&d=PG01&s1=102018000009922&OS=102018000009922&RS=102018000009922
Domanda di brevetto prima depositata in Italia (30 ottobre 2018, no.102018000009922) e poi estesa negli USA (24 ottobre 2019, no. 16/662,911). US Patent Application Publication No. US 2020/0135273).
no
6 Brevetti::6.1 Brevetto
none
Pasotti, M.; Zurla, R.; Cabrini, A.; Torelli, G.; Volpe, FLAVIO GIOVANNI
info:eu-repo/semantics/patent
285
5
6.1 Brevetto
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11571/1343986
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact