Impact of Lateral Isolation Oxides on Radiation-Induced Noise Degradation in CMOS Technologies in the 100-nm Regime / Re V.; Manghisoni M.; Ratti L.; Speziali V.; Traversi G.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - ISSN 0018-9499. - STAMPA. - 54:3(2007), pp. 2218-2226.
Scheda prodotto non validato
Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo
Titolo: | Impact of Lateral Isolation Oxides on Radiation-Induced Noise Degradation in CMOS Technologies in the 100-nm Regime |
Autori: | |
Data di pubblicazione: | 2007 |
Rivista: | |
Handle: | http://hdl.handle.net/11571/31897 |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.
I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.