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EnglishImpact of Lateral Isolation Oxides on Radiation-Induced Noise Degradation in CMOS Technologies in the 100-nm Regime / Re V.; Manghisoni M.; Ratti L.; Speziali V.; Traversi G.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - ISSN 0018-9499. - STAMPA. - 54:3(2007), pp. 2218-2226.
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| Titolo: | Impact of Lateral Isolation Oxides on Radiation-Induced Noise Degradation in CMOS Technologies in the 100-nm Regime |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2007 |
| Rivista: | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11571/31897 |
| Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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http://hdl.handle.net/11571/31897
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