Impact of Lateral Isolation Oxides on Radiation-Induced Noise Degradation in CMOS Technologies in the 100-nm Regime

Re, V.; Manghisoni, M.; Ratti, Lodovico; Speziali, Valeria; Traversi, G.

doi:10.1109/TNS.2007.908375

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Impact of Lateral Isolation Oxides on Radiation-Induced Noise Degradation in CMOS Technologies in the 100-nm Regime / Re V.; Manghisoni M.; Ratti L.; Speziali V.; Traversi G.. - In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - ISSN 0018-9499. - STAMPA. - 54:3(2007), pp. 2218-2226.

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Titolo:	Impact of Lateral Isolation Oxides on Radiation-Induced Noise Degradation in CMOS Technologies in the 100-nm Regime
Autori:	Re V. Manghisoni M. RATTI, LODOVICO SPEZIALI, VALERIA Traversi G. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2007
Rivista:	IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE
Handle:	http://hdl.handle.net/11571/31897
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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