Total Ionizing Dose effects in 130-nm commercial CMOS technologies for HEP experiments

Gonella, L.; Faccio, F.; Silvestri, M.; Gerardin, S.; Pantano, D.; Re, V.; Manghisoni, M.; Ratti, Lodovico; Ranieri, A.

doi:10.1016/j.nima.2007.07.068

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Total Ionizing Dose effects in 130-nm commercial CMOS technologies for HEP experiments / Gonella L.; Faccio F.; Silvestri M.; Gerardin S.; Pantano D.; Re V.; Manghisoni M.; Ratti L.; Ranieri A.. - In: NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT. - ISSN 0168-9002. - STAMPA. - 582:3(2007), pp. 750-754.

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Titolo:	Total Ionizing Dose effects in 130-nm commercial CMOS technologies for HEP experiments
Autori:	Gonella L. Faccio F. Silvestri M. Gerardin S. Pantano D. Re V. Manghisoni M. RATTI, LODOVICO Ranieri A. mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2007
Rivista:	NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH. SECTION A, ACCELERATORS, SPECTROMETERS, DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT
Handle:	http://hdl.handle.net/11571/31898
Appare nelle tipologie:	1.1 Articolo in rivista

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