Radiation Tolerance of Devices and Circuits in a 3D Technology Based on the Vertical Integration of Two 130-nm CMOS Layers / Valerio Re;Luigi Gaioni;Alessia Manazza;Massimo Manghisoni;Lodovico Ratti;Gianluca Traversi. - In: IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE. - ISSN 0018-9499. - STAMPA. - 60:(2013), pp. 4526-4532. [10.1109/TNS.2013.2286676]
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Titolo: | Radiation Tolerance of Devices and Circuits in a 3D Technology Based on the Vertical Integration of Two 130-nm CMOS Layers | |
Autori: | ||
Data di pubblicazione: | 2013 | |
Rivista: | ||
Handle: | http://hdl.handle.net/11571/805435 | |
Appare nelle tipologie: | 1.1 Articolo in rivista |
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