SHOJAEI, FATEMEH
 Distribuzione geografica
Continente #
NA - Nord America 48
AS - Asia 29
EU - Europa 19
Continente sconosciuto - Info sul continente non disponibili 4
AF - Africa 2
SA - Sud America 1
Totale 103
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 44
CN - Cina 8
SG - Singapore 8
IT - Italia 5
HK - Hong Kong 4
RU - Federazione Russa 4
DE - Germania 3
VN - Vietnam 3
BD - Bangladesh 2
ES - Italia 2
FR - Francia 2
MX - Messico 2
ZA - Sudafrica 2
BR - Brasile 1
CA - Canada 1
GB - Regno Unito 1
IQ - Iraq 1
MY - Malesia 1
NL - Olanda 1
PS - Palestinian Territory 1
RS - Serbia 1
TT - Trinidad e Tobago 1
UZ - Uzbekistan 1
Totale 99
Città #
San Jose 12
Ashburn 6
Council Bluffs 6
Pavia 5
Hong Kong 4
Singapore 3
Beijing 2
Denver 2
Johannesburg 2
Lauterbourg 2
Mexico City 2
Santa Clara 2
Amsterdam 1
Atlanta 1
Belgrade 1
Campo Bom 1
Chaguanas 1
Columbus 1
Dallas 1
Düsseldorf 1
Houston 1
Ipoh 1
Los Angeles 1
Lấp Vò 1
Munich 1
Nuremberg 1
Orem 1
Parkville 1
Redondo Beach 1
Sainte-Julie 1
Sulaymaniyah 1
Tashkent 1
Torrejón de Ardoz 1
Tula 1
Điện Bàn 1
Totale 71
Nome #
Modeling I-MOS Capacitor C-V Characteristic for Non-Linear Charge Sensitive Amplifiers 55
Bulk Damage Effects in Neutron Irradiated Single- and Dual-Layer 150-nm CMOS SPADs 34
Ultra-Fast Digital Silicon Photomultiplier with Timestamping Capability in a 110 nm CMOS Process 10
Characterization of Random Telegraph Signal in Neutron-Irradiated 150-nm CMOS SPADs 4
Totale 103
Categoria #
all - tutte 442
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 442


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2024/202510 0 0 0 3 0 1 0 0 3 1 0 2
2025/202682 5 2 2 14 12 3 5 7 7 7 13 5
2026/202711 3 8 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Totale 103