SHOJAEI, FATEMEH
 Distribuzione geografica
Continente #
NA - Nord America 40
AS - Asia 27
EU - Europa 18
AF - Africa 2
SA - Sud America 1
Totale 88
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 37
SG - Singapore 8
CN - Cina 6
IT - Italia 5
HK - Hong Kong 4
RU - Federazione Russa 4
DE - Germania 3
VN - Vietnam 3
BD - Bangladesh 2
FR - Francia 2
MX - Messico 2
ZA - Sudafrica 2
BR - Brasile 1
CA - Canada 1
ES - Italia 1
GB - Regno Unito 1
IQ - Iraq 1
MY - Malesia 1
NL - Olanda 1
PS - Palestinian Territory 1
RS - Serbia 1
UZ - Uzbekistan 1
Totale 88
Città #
San Jose 11
Ashburn 5
Pavia 5
Hong Kong 4
Council Bluffs 3
Singapore 3
Beijing 2
Denver 2
Johannesburg 2
Lauterbourg 2
Mexico City 2
Amsterdam 1
Atlanta 1
Belgrade 1
Campo Bom 1
Dallas 1
Düsseldorf 1
Houston 1
Ipoh 1
Los Angeles 1
Lấp Vò 1
Munich 1
Nuremberg 1
Orem 1
Parkville 1
Redondo Beach 1
Sainte-Julie 1
Santa Clara 1
Sulaymaniyah 1
Tashkent 1
Tula 1
Điện Bàn 1
Totale 62
Nome #
Modeling I-MOS Capacitor C-V Characteristic for Non-Linear Charge Sensitive Amplifiers 54
Bulk Damage Effects in Neutron Irradiated Single- and Dual-Layer 150-nm CMOS SPADs 31
Ultra-Fast Digital Silicon Photomultiplier with Timestamping Capability in a 110 nm CMOS Process 4
Characterization of Random Telegraph Signal in Neutron-Irradiated 150-nm CMOS SPADs 3
Totale 92
Categoria #
all - tutte 349
article - articoli 0
book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 349


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2024/202510 0 0 0 3 0 1 0 0 3 1 0 2
2025/202682 5 2 2 14 12 3 5 7 7 7 13 5
Totale 92