SHOJAEI, FATEMEH
SHOJAEI, FATEMEH
DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA INDUSTRIALE E DELL'INFORMAZIONE
Bulk Damage Effects in Neutron Irradiated Single- and Dual-Layer 150-nm CMOS SPADs
2025-01-01 Shojaei, F.; Brogi, P.; Dalla Betta, G. -F.; Giroletti, S.; Marrocchesi, P. S.; Minga, J.; Pancheri, L.; Ratti, L.; Torilla, G.; Vacchi, C.
Modeling I-MOS Capacitor C-V Characteristic for Non-Linear Charge Sensitive Amplifiers
2024-01-01 Giroletti, S.; Shojaei, F.; Manghisoni, M.; Ratti, L.; Vacchi, C.
Ultra-Fast Digital Silicon Photomultiplier with Timestamping Capability in a 110 nm CMOS Process
2026-01-01 Floris, Tommaso Maria; Campajola, Marcello; Collazuol, Gianmaria; Da Rocha Rolo, Manuel Dionísio; Fiorillo, Giuliana; Licciulli, Francesco; Mazziotta, Mario Nicola; Pancheri, Lucio; Ratti, Lodovico; Rignanese, Luigi Pio; Falchieri, Davide; Santoro, Romualdo; Shojaei, Fatemeh; Vacchi, Carla
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| Bulk Damage Effects in Neutron Irradiated Single- and Dual-Layer 150-nm CMOS SPADs | 1-gen-2025 | Shojaei, F.; Brogi, P.; Dalla Betta, G. -F.; Giroletti, S.; Marrocchesi, P. S.; Minga, J.; Pancheri, L.; Ratti, L.; Torilla, G.; Vacchi, C. | |
| Modeling I-MOS Capacitor C-V Characteristic for Non-Linear Charge Sensitive Amplifiers | 1-gen-2024 | Giroletti, S.; Shojaei, F.; Manghisoni, M.; Ratti, L.; Vacchi, C. | |
| Ultra-Fast Digital Silicon Photomultiplier with Timestamping Capability in a 110 nm CMOS Process | 1-gen-2026 | Floris, Tommaso Maria; Campajola, Marcello; Collazuol, Gianmaria; Da Rocha Rolo, Manuel Dionísio; Fiorillo, Giuliana; Licciulli, Francesco; Mazziotta, Mario Nicola; Pancheri, Lucio; Ratti, Lodovico; Rignanese, Luigi Pio; Falchieri, Davide; Santoro, Romualdo; Shojaei, Fatemeh; Vacchi, Carla |