TARDANI, TOMMASO FRANCESCO
TARDANI, TOMMASO FRANCESCO
DIPARTIMENTO DI INGEGNERIA INDUSTRIALE E DELL'INFORMAZIONE
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A 145-ns Response Time High-Side Current Sense for a 100-V Monolithic GaN Half Bridge
2025-01-01 Tardani, T. F.; Gambero, A.; Rossi, S.; Aprile, A.; Bonizzoni, E.; Malcovati, P.
A 2.3-ns Response Time Temperature Insensitive Capacitive Level-Shifter with a Novel Active Pull-up for a 100-V Monolithic GaN Half Bridge
2026-01-01 Tardani, T. F.; Gambero, A.; Corona, S.; Rossi, S.; Aprile, A.; Moisello, E.; Ricotti, G.; Bonizzoni, E.; Malcovati, P.
A 50-ns Response Time High-Side Current Sense with a Novel Analog Level-Shifting Technique for a 100-V Monolithic 1-μm GaN-on-Si Half Bridge
2026-01-01 Tardani, T. F.; Gambero, A.; Rossi, S.; Aprile, A.; Moisello, E.; Ricotti, G.; Bonizzoni, E.; Malcovati, P.
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| A 145-ns Response Time High-Side Current Sense for a 100-V Monolithic GaN Half Bridge | 1-gen-2025 | Tardani, T. F.; Gambero, A.; Rossi, S.; Aprile, A.; Bonizzoni, E.; Malcovati, P. | |
| A 2.3-ns Response Time Temperature Insensitive Capacitive Level-Shifter with a Novel Active Pull-up for a 100-V Monolithic GaN Half Bridge | 1-gen-2026 | Tardani, T. F.; Gambero, A.; Corona, S.; Rossi, S.; Aprile, A.; Moisello, E.; Ricotti, G.; Bonizzoni, E.; Malcovati, P. | |
| A 50-ns Response Time High-Side Current Sense with a Novel Analog Level-Shifting Technique for a 100-V Monolithic 1-μm GaN-on-Si Half Bridge | 1-gen-2026 | Tardani, T. F.; Gambero, A.; Rossi, S.; Aprile, A.; Moisello, E.; Ricotti, G.; Bonizzoni, E.; Malcovati, P. |