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EnglishNoise characterization of 130 nm and 90 nm CMOS technologies for analog front-end electronics / Manghisoni M.; Ratti L.; Re V.; Speziali V.; Traversi G.. - ELETTRONICO. - 1(2007), pp. 214-218. ((Intervento presentato al convegno 2006 IEEE Nuclear Science Symposium tenutosi a San Diego, USA nel October 29 -November 4 2006.
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| Titolo: | Noise characterization of 130 nm and 90 nm CMOS technologies for analog front-end electronics |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2007 |
| Rivista: | |
| Citazione: | Noise characterization of 130 nm and 90 nm CMOS technologies for analog front-end electronics / Manghisoni M.; Ratti L.; Re V.; Speziali V.; Traversi G.. - ELETTRONICO. - 1(2007), pp. 214-218. ((Intervento presentato al convegno 2006 IEEE Nuclear Science Symposium tenutosi a San Diego, USA nel October 29 -November 4 2006. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11571/28769 |
| ISBN: | 9781424405619 |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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http://hdl.handle.net/11571/28769
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