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EnglishMinimum noise design of charge amplifiers with CMOS processes in the 100 nm feature size range / Ratti L.; Manghisoni M.; Re V.; Speziali V.; Traversi G.. - ELETTRONICO. - 4(2007), pp. 2494-2502. ((Intervento presentato al convegno 2007 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record tenutosi a Honolulu, USA nel October 26 - November 3 2007.
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| Titolo: | Minimum noise design of charge amplifiers with CMOS processes in the 100 nm feature size range |
| Autori: | |
| Data di pubblicazione: | 2007 |
| Rivista: | |
| Citazione: | Minimum noise design of charge amplifiers with CMOS processes in the 100 nm feature size range / Ratti L.; Manghisoni M.; Re V.; Speziali V.; Traversi G.. - ELETTRONICO. - 4(2007), pp. 2494-2502. ((Intervento presentato al convegno 2007 IEEE Nuclear Science Symposium Conference Record tenutosi a Honolulu, USA nel October 26 - November 3 2007. |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11571/32050 |
| ISBN: | 9781424409228 |
| Appare nelle tipologie: | 4.1 Contributo in Atti di convegno |
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http://hdl.handle.net/11571/32050
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