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Instrumentation for noise measurements on CMOS transistors for fast detector preamplifiers 1-gen-2002 Manghisoni, M.; Ratti, Lodovico; Re, V.; Speziali, Valeria
Design and characterization of integrated front-end transistors in a microstrip detector technology 1-gen-2002 Simi, G.; Angelini, C.; Batignani, G.; Bettarini, S.; Bondioli, M.; Boscardin, M.; Bosisio, L.; Dalla Betta, G. F.; Dittongo, S.; Forti, F.; Giorgi, M.; Gregori, P.; Manghisoni, M.; Morganti, M.; U. Pignatel, G.; Ratti, Lodovico; Re, V.; Rizzo, G.; Speziali, Valeria; Zorzi, N.
Comparison of ionizing radiation effects in 0.18 and 0.25 um CMOS technologies for analog applications 1-gen-2003 Manghisoni, M.; Ratti, Lodovico; Re, V.; Speziali, Valeria; Traversi, G.; Candelori, A.
Initial test results of an ionization chamber shower detector for a LHC luminosity monitor 1-gen-2003 Datte, P. S.; Beche, J. F.; Haguenauer, M.; Manfredi, P. F.; Manghisoni, M.; Millaud, J. E.; Placidi, M.; Ratti, Lodovico; Riot, V. J.; Schmickler, H.; Speziali, Valeria; Traversi, G.; Turner, W. C.
JFET front-end circuits integrated in a detector-grade silicon substrate 1-gen-2003 Manghisoni, M.; Ratti, Lodovico; Re, V.; Speziali, Valeria; Traversi, G.; Dalla Betta, G. F.; Boscardin, M.; Batignani, G.; Giorgi, M.; Bosisio, L.
Effects of gamma-rays on JFET devices and circuits fabricated in a detector-compatible process 1-gen-2003 Dalla Betta, G. F.; Manghisoni, M.; Ratti, Lodovico; Re, V.; Speziali, Valeria; Traversi, G.
JFET preamplifiers with different reset techniques on detector-grade high-resistivity silicon 1-gen-2003 Dalla Betta, G. F.; Manghisoni, M.; Ratti, Lodovico; Re, V.; Speziali, Valeria
Resolution limits achievable with CMOS front-end in X and gamma-ray analysis with semiconductor detectors 1-gen-2003 Manfredi, P. F.; Manghisoni, M.; Ratti, Lodovico; Re, V.; Speziali, Valeria
Noise analysis of NPN SOI bipolar transistors for the design of charge measuring systems 1-gen-2003 Ratti, Lodovico; Speziali, Valeria; Traversi, G.; Manghisoni, M.; Re, V.; Fallica, G.; Leonardi, S.
Bulk damage in proton irradiated JFET transistors and charge preamplifiers on high resistivity silicon 1-gen-2004 Ratti, Lodovico; Dalla Betta, G. F.; Manghisoni, M.; Re, V.; Speziali, Valeria; Traversi, G.; Candelori, A.
Radiation hardness study of proton irradiated SOI bipolar transistors 1-gen-2004 Ratti, Lodovico; Manghisoni, M.; Re, V.; Speziali, Valeria; Traversi, G.; Fallica, G.; Modica, R.; Candelori, A.
Recent results from the development of silicon detectors with integrated electronics 1-gen-2004 Dalla Betta, G. F.; Boscardin, M.; Batignani, G.; Bettarini, S.; Bisogni, M. G.; Bosisio, L.; Carpinelli, M.; Ciacchi, M.; Dittongo, S.; Forti, F.; Giorgi, M.; Gregori, P.; Manghisoni, M.; Novelli, M.; Piemonte, C.; Rachevskaia, I.; Rama, M.; Ratti, Lodovico; Re, V.; Ronchin, S.; Sandrelli, F.; Simi, G.; Speziali, Valeria; Rosso, V.; Traversi, G.; Zorzi, N.
A study for the detection of ionizing particles with phototransistors on thick high-resistivity silicon substrates 1-gen-2004 Batignani, G.; Angelini, C.; Bisogni, M. G.; Boscardin, M.; Bettarini, S.; Bondioli, M.; Bosisio, L.; Bucci, F.; Calderini, G.; Carpinelli, M.; Ciacchi, M.; Dalla Betta, G. F.; Dittongo, S.; Forti, F.; Giorgi, M. A.; Gregori, P.; Han, D. J.; Manfredi, P. F.; Manghisoni, M.; Marchiori, G.; Neri, N.; Novelli, M.; Paoloni, E.; Piemonte, C.; Rachevskaia, I.; Rama, M.; Ratti, Lodovico; Re, V.; Rizzo, G.; Ronchin, S.; Rosso, V.; Simi, G.; Speziali, Valeria; Stefanini, A.; Zorzi, N.
Survey of noise performances and scaling effects in deep submicron CMOS devices from different foundries 1-gen-2004 Re, V.; Manghisoni, M.; Ratti, Lodovico; Speziali, Valeria; Traversi, G.
Gamma-ray response of SOI bipolar junction transistors for fast, radiation tolerant front-end electronics 1-gen-2004 Manghisoni, M.; Ratti, Lodovico; Re, V.; Speziali, Valeria; Traversi, G.; Fallica, G.
Proton induced damage in JFET transistors and charge preamplifiers on high-resistivity silicon 1-gen-2004 Dalla Betta, G. F.; Manghisoni, M.; Ratti, Lodovico; Re, V.; Speziali, Valeria; Traversi, G.; Candelori, A.
Fermilab silicon strip readout chip for BTEV 1-gen-2004 Yarema, R.; Hoff, J.; Mekkaoui, A.; Angeleri, V.; Manfredi, P. F.; Ratti, Lodovico; Speziali, Valeria; Manghisoni, M.; Re, V.
The readout of the LHC beam luminosity monitor: accurate shower energy measurements at a 40MHz repetition rate 1-gen-2004 Manfredi, P. F.; Ratti, Lodovico; Speziali, Valeria; Traversi, G.; Manghisoni, M.; Re, V.; Denes, P.; Placidi, M.; Ratti, A.; Turner, W. C.; Datte, P. S.; Millaud, J. E.
Response of SOI bipolar transistors exposed to gamma-rays under different dose-rate and bias conditions 1-gen-2004 Ratti, Lodovico; Manghisoni, M.; Oberti, E.; Re, V.; Speziali, Valeria; Traversi, G.; Fallica, G.; Modica, R.
Noise analysis of NPN SOI bipolar transistors for the design of charge measuring systems 1-gen-2004 Manghisoni, M.; Ratti, Lodovico; Re, V.; Speziali, Valeria; Traversi, G.; Fallica, G.; Leonardi, S.
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