A 1 V, 26 µW extended temperature range band-gap reference in 130-nm CMOS technology

Cabrini, A.; De Sandre, G.; Gobbi, L.; Malcovati, P.; Pasotti, M.; Poles, M.; Rigoni, F.; Torelli, G.

doi:10.1109/ESSCIR.2005.1541670

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A 1 V, 26 µW extended temperature range band-gap reference in 130-nm CMOS technology / A. Cabrini; G. De Sandre; L. Gobbi; P. Malcovati; M. Pasotti; M. Poles; F. Rigoni; G. Torelli. - STAMPA. - (2005), pp. 503-506. ((Intervento presentato al convegno IEEE European Solid-State Circuits Conference (ESSCIRC ‘05) tenutosi a Lille, France nel 12-16 September 2005.

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Titolo:	A 1 V, 26 µW extended temperature range band-gap reference in 130-nm CMOS technology
Autori interni:	CABRINI, ALESSANDRO GOBBI, LAURA MALCOVATI, PIERO TORELLI, GUIDO
Data di pubblicazione:	2005
Handle:	http://hdl.handle.net/11571/25641
ISBN:	9782863321805
Appare nelle tipologie:	4.1 Contributo in Atti di convegno

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